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場效應分類：場效應管主要有結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。絕緣柵型場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極（b）、集電極（c）、發(fā)射極（e）。

場效應管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結(jié)型場效應管的區(qū)別在于它們的導電機構(gòu)和電流控制原理根本不同，結(jié)型管是利用耗盡區(qū)的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。

它們性質(zhì)的差異使結(jié)型場效應管往往運用在功放輸入級（前級），絕緣柵型場效應管則用在功放末級（輸出級）。場效應管的工作原理和三極管其本一樣，只是他們一個是壓控型元件，一個是電流控制元件，場效應管只有一個PN結(jié)，如下圖所示：

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